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DRAM+, Cache+ : une mémoire hybride pour remplacer SRAM, DRAM et NAND

L’Highlander de la mémoire

DRAM+, Cache+ : une mémoire hybride pour remplacer SRAM, DRAM et NAND

L'oxyde d'hafnium pourrait servir à créer de la mémoire non volatile qui viendrait remplacer à la fois la SRAM (mémoire cache), la DRAM (mémoire vive) et la NAND (stockage SSD). C’est en tout cas la piste explorée activement par deux sociétés allemandes, qui veulent au passage relocaliser la production en Allemagne.

Le 14 avril à 08h59

Au début du mois, deux sociétés allemandes, Neumonda et Ferroelectric Memory Company (FMC), ont annoncé collaborer pour développer, produire et commercialiser de la DRAM non volatile. Le but ? « Rien de moins que ramener la conception et la fabrication de mémoires semi-conducteurs en Allemagne », explique le communiqué.

La DRAM, késako ?

DRAM signifie, pour rappel, Dynamic Random-Access Memory ou mémoire dynamique à accès aléatoire. Vous la connaissez très certainement puisqu’elle est au cœur de la mémoire vive dans les ordinateurs. La mémoire EDO (pour les plus anciens), SDRAM et les différentes générations de DDR SDRAM sont des types de DRAM.

Elle a l’avantage d’être rapide, de proposer une densité élevée, d’être relativement abordable avec une faible consommation énergétique. Problème, la mémoire s’efface lorsque la machine est éteinte. Raison d’ailleurs pour laquelle nous parlons de mémoire volatile.

L’oxyde d'hafnium et ses propriétés ferroélectriques

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Commentaires (23)

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Il y a une erreur dans l'article : ce n'est pas la mémoire Cache+ mais Cahce+ :D
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Il vaut mieux aller sur "Signaler une erreur" en bas de l'article ou sélectionner la partie problématique (et un bouton-lien cliquable "Une erreur ?" apparaît) qu'écrire un commentaire pour ca ;)
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Tu veux vraiment que j'aille envoyer ma blague à la rédac, ou alors tu es premier degré et tu es le seul à ne pas avoir vu la typo sur le slide du fabricant ?
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Non, il n'est pas le seul. Le cerveau corrige souvent ce genre de typo.
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Quel oeil ! :yes:

Et pourtant ces slides ont dû être relus par plusieurs personnes avant...

Ça rappelle un peu la jaquette du coffret DVD de la saison 3 de Downton Abbey... Comme quoi tout est possible... :mdr2:
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Ça m'est arrivé que quelqu'un relise mes slides pour une présentation publique et ajoute des fautes (en croyant en corriger). Maintenant je relis les relectures…
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Ça ressemble un peu à ce que l'on appelle une régression en informatique, non ?

En voulant corriger un problème, on en crée un nouveau plus loin, là où il n'y en a avait pas auparavant...

:fumer:
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Elle a l'air d'avoir été fait à la va-vite.
L'image de la DRAM+(DIMM) est très mal détourée aussi…
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Ça serait une sacré révolution, y compris du côté logiciel. A voir quand même comment ça résisterait aux attaques de hammering entre autres, et combien de cycles ils vont annoncer sur de tels produits.
Et si il arrivent à une mémoire pseudo analogique comme les travaux de HP. Un transistor coouplé à un memristor directement dans le silicium serait parmi les solutions les plus efficaces pour l'inférence d'ia (en gros: la ram fait le calcul)
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Ils ont réinventé la mémoire à tore en plus rapide !
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Qui ira enfiler des perles ? Le problème le plus important des tores est qui chaque lecture doit être suivi d’une écriture pour garder les données. Donc si on gagne jusqu’à un cycle sur deux, c’est nécessairement plus rapide.
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Objectivement, c'est la MRAM qui est le dispositif le plus proche des tores magnétiques puisque basé sur des spin d'électrons pour stocker l'information.

Cette mémoire là est ferro-électrique et la rétention est basée sur une charge électrique.

Le dispositif ferro-électrique est une sorte de condensateur non linéaire dont la charge et décharge comporte une hystérésis. Le point commun avec les tores est la présence de cette hystérésis et le fait que la lecture peut être destructive, impliquant une écrite après lecture.

La gestion de ce type de mémoire composée d'un transistor couplé à un condensateur par bit stocké est donc très proche de celle d'une DRAM qui est composée aussi d'un transistor et d'un condensateur par bit stocké.

Et question densité et prix, on est pas capable d'attaquer la flash donc c'est plutôt malin d'adopter cette approche.
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Si les anciens sont ceux qui ont connu l'EDO, que sont ceux qui ont connu la DRAM avant l'EDO ?
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Sommes nous des vestiges ou des reliques ?
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On n'a pas encore inventé de mot pour ce cas extrême.
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Et des icônes ou des légendes ?
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Perso, j'ai connu les DRAM de l'Apple II : Mostek MK4116 DRAM de 16 Kbits, bien alignés en 3 rangées de 8 comme on peut le voir ici, mais je suis toujours jeune. :langue:
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Je crois (pour les DRAM)qu’il y avait peu de IC organisés en octets. Quelques unes existaient en quartet, la grande majorité étaient construites en séries de bits. deux pattes de contrôles, deux d’ailm, une entrée-une sortie, pleins de pattes d’adresses.
Sur PC c’était des séries de 9 pour de CRC.
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j'ai eu la peau de deux de ces apple II, pas très résistants aux bidouilleurs en culotte courte :D mais tu dois pas être si jeune du coup :smack:
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Et que dire de ceux qui ont connu les mémoires à bulles magnétiques :phibee:
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Est-ce qu'il y a une parenté (même lointaine) entre ça et ce que faisait Intel et Micron en partenariat il y a quelques années (les SSD qu'on nous a prétendu être assez rapide pour servir de RAM mais en fait non).
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Intel a tenté une telle mémoire : Optane
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C'est bien beau tout ça, mais à partir de quand ils sont capable d'industrialiser la production ?

Neumonda c'est pour faire référence à Qimonda ?

DRAM+, Cache+ : une mémoire hybride pour remplacer SRAM, DRAM et NAND

  • La DRAM, késako ?

  • L’oxyde d'hafnium et ses propriétés ferroélectriques

  • Un métal rare, dont la France est le principal producteur

  • FMC sur les traces de feu Qimonda

  • Cache+ pour les réunir tous (SRAM, DRAM et NAND)

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