DRAM+, Cache+ : une mémoire hybride pour remplacer SRAM, DRAM et NAND
L’Highlander de la mémoire

L'oxyde d'hafnium pourrait servir à créer de la mémoire non volatile qui viendrait remplacer à la fois la SRAM (mémoire cache), la DRAM (mémoire vive) et la NAND (stockage SSD). C’est en tout cas la piste explorée activement par deux sociétés allemandes, qui veulent au passage relocaliser la production en Allemagne.
Le 14 avril à 08h59
5 min
Hardware
Hardware
Au début du mois, deux sociétés allemandes, Neumonda et Ferroelectric Memory Company (FMC), ont annoncé collaborer pour développer, produire et commercialiser de la DRAM non volatile. Le but ? « Rien de moins que ramener la conception et la fabrication de mémoires semi-conducteurs en Allemagne », explique le communiqué.
La DRAM, késako ?
DRAM signifie, pour rappel, Dynamic Random-Access Memory ou mémoire dynamique à accès aléatoire. Vous la connaissez très certainement puisqu’elle est au cœur de la mémoire vive dans les ordinateurs. La mémoire EDO (pour les plus anciens), SDRAM et les différentes générations de DDR SDRAM sont des types de DRAM.
Elle a l’avantage d’être rapide, de proposer une densité élevée, d’être relativement abordable avec une faible consommation énergétique. Problème, la mémoire s’efface lorsque la machine est éteinte. Raison d’ailleurs pour laquelle nous parlons de mémoire volatile.
L’oxyde d'hafnium et ses propriétés ferroélectriques
Il reste 78% de l'article à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter

Soutenez un journalisme indépendant,
libre de ton, sans pub et sans reproche.
Accédez en illimité aux articles
Profitez d'un média expert et unique
Intégrez la communauté et prenez part aux débats
Partagez des articles premium à vos contacts
Abonnez-vousDRAM+, Cache+ : une mémoire hybride pour remplacer SRAM, DRAM et NAND
-
La DRAM, késako ?
-
L’oxyde d'hafnium et ses propriétés ferroélectriques
-
Un métal rare, dont la France est le principal producteur
-
FMC sur les traces de feu Qimonda
-
Cache+ pour les réunir tous (SRAM, DRAM et NAND)
Commentaires (23)
Le 14/04/2025 à 09h33
Le 14/04/2025 à 11h00
Le 14/04/2025 à 11h32
Le 14/04/2025 à 11h45
Modifié le 14/04/2025 à 14h59
Et pourtant ces slides ont dû être relus par plusieurs personnes avant...
Ça rappelle un peu la jaquette du coffret DVD de la saison 3 de Downton Abbey... Comme quoi tout est possible...
Modifié le 14/04/2025 à 22h51
Le 15/04/2025 à 00h28
En voulant corriger un problème, on en crée un nouveau plus loin, là où il n'y en a avait pas auparavant...
Le 15/04/2025 à 20h28
L'image de la DRAM+(DIMM) est très mal détourée aussi…
Le 14/04/2025 à 09h36
Et si il arrivent à une mémoire pseudo analogique comme les travaux de HP. Un transistor coouplé à un memristor directement dans le silicium serait parmi les solutions les plus efficaces pour l'inférence d'ia (en gros: la ram fait le calcul)
Le 14/04/2025 à 10h37
Le 14/04/2025 à 13h56
Le 15/04/2025 à 08h39
Cette mémoire là est ferro-électrique et la rétention est basée sur une charge électrique.
Le dispositif ferro-électrique est une sorte de condensateur non linéaire dont la charge et décharge comporte une hystérésis. Le point commun avec les tores est la présence de cette hystérésis et le fait que la lecture peut être destructive, impliquant une écrite après lecture.
La gestion de ce type de mémoire composée d'un transistor couplé à un condensateur par bit stocké est donc très proche de celle d'une DRAM qui est composée aussi d'un transistor et d'un condensateur par bit stocké.
Et question densité et prix, on est pas capable d'attaquer la flash donc c'est plutôt malin d'adopter cette approche.
Le 14/04/2025 à 10h42
Le 14/04/2025 à 10h53
Le 14/04/2025 à 10h57
Le 14/04/2025 à 13h57
Le 14/04/2025 à 10h59
Modifié le 14/04/2025 à 14h08
Sur PC c’était des séries de 9 pour de CRC.
Le 14/04/2025 à 17h08
Le 15/04/2025 à 08h41
Le 14/04/2025 à 14h12
Le 15/04/2025 à 00h42
Le 14/04/2025 à 16h26
Neumonda c'est pour faire référence à Qimonda ?