10LPP : Samsung passe la seconde sur le 10 nm FinFET

Cela fait maintenant plusieurs mois que le fabricant produit des puces avec cette finesse de gravure (notamment pour le SoC Exynos 9 Series 8895 du Galaxy S8).

Il utilise un procédé baptisé 10LPE (Low Power Early) et indique aujourd’hui commencer la production de masse de son évolution : le 10LPP (Low Power Plus). Ce dernier propose « des performances jusqu’à 10 % plus élevées ou une consommation énergétique inférieure de 15 % » selon Samsung.

Les premiers terminaux équipés de puces gravées en 10LPP sont attendus pour le début de l’année prochaine. Il devrait donc certainement y avoir des annonces durant le CES de Las Vegas.

Le fabricant ajoute que sa nouvelle ligne de production S3 à Hwaseong en Corée est prête pour « accélérer la production » des puces gravées en 10 nm ou moins. Il sera notamment question du 7 nm (Extreme Ultra Violet) attendu pour la seconde moitié de 2018.