En juillet 2021, le JEDEC présentait la norme LPDDR5X (Low Power Double Data Rate), avec des débits pouvant atteindre 8,5 Gb/s, contre 6,4 Gb/s en LPDDR5 classique.

Les fabricants se sont rapidement lancés avec de nouveaux modules de mémoire. Samsung par exemple dévoilait dans la foulée la « première puce » de 16 Gb (2 Go), gravée en 14 nm, avec la possibilité de monter jusqu’à 64 Go par module.

En 2023, Micron et SK hynix passaient à 9,6 Gb/s

Fin 2023, Micron grimpait jusqu’à 9,6 Gb/s avec sa LPDDR5X, soit une hausse de 12 % de la bande passante. C’était également l’occasion d’annoncer que les premiers échantillons étaient en cours d’expédition, notamment chez Qualcomm pour sa plateforme Snapdragon 8 Gen 3. Le Snapdragon 8 s Gen 3 annoncé dans un second temps se contente de LPDDR5X à 8,5 Gb/s.

En avril de cette année, Micron affirmait que la consommation de sa LPDDR5X à 9,6 Gb/s était en baisse de 4 %, sans changement sur les performances.

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De la LPDDR5T ?

SK hynix répondait aussi présent à l’annonce de Qualcomm avec sa… LPDDR5T. Un T à la place du X pour « Turbo » avec une bande passante de 9,6 Gb/s, exactement comme Micron. Suite à l’annonce de son partenaire, SK hynix affirmait avoir validé la compatibilité de sa mémoire avec la plateforme Snapdragon 8 Gen 3 de Qualcomm.

Pour rappel, la LPDDR5T n’est pas une norme du JEDEC, c’est une appellation commerciale du constructeur, rien de plus. La LPDDR5T avait été annoncée pour la première fois en janvier 2023.

Samsung dépasse les 10 Gb/s en LPDDR5X

Samsung vient de mettre tout le monde d’accord avec de la LPDDR5X à 10,7 Gb/s, soit 25 % de mieux que les caractéristiques de base de la LPDDR5X ou près de 12 % de mieux que la LPDDR5X/T à 9,6 Gb/s. Le fabricant en profite pour baisser la finesse de gravure qui passe de 14 à 12 nm. Il revendique ainsi « la plus petite taille de puce parmi les LPDDR existantes ».

La production de masse des puces de LPDDR5X à 10,7 Gbit/s « devrait commencer d'ici le second semestre » affirme Samsung. Ce dernier affirme que « cette mémoire étend également la capacité d'un seul paquet de DRAM mobile jusqu'à 32 Go », alors qu’il était question de 64 Go pour la LPDDR5X à 8,5 Gb/s.

Quoi qu’il en soit, on pourrait retrouver cette mémoire à 10,7 Gb/s dans le futur SoC Snapdragon 8 Gen 4 de Qualcomm, qui devrait être annoncé d’ici à la fin de l’année. D’ici là, Micron et SK hynix ont le temps de répondre.

LPCAMM2 en embuscade

Pour rappel, un changement se profile à l’horizon avec la standardisation par le JEDEC de la LPCAMM2, de la LPDDR5X en module non soudée.

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