Alors qu'Intel suit sa roadmap qui le mène à la gravure en 14 nm d'ici l'année prochaine et se cherche des solutions pour le 10 nm, comme l'a évoqué Mark Bohr pendant l'IDF, Global Foundries vient de donner quelques détails sur ses plans pour les mois à venir.
Ainsi, un communiqué de presse évoque l'arrivée de la finesse de gravure en 14 nm via un process XM (pour eXtreme Mobility) qui exploitera des transistors de type FinFET. Pour rappel, ce sont ceux qu'Intel avait introduits avec son Ivy Bridge et le 22 nm, qui sont aussi plus connus sous le petit nom de transistors 3D.
Selon le fondeur issu de la scission d'AMD, cette solution permettra d'obtenir des appareils qui disposeront d'une autonomie de 40 à 60 % supérieure par rapport à ceux qui exploiteront des puces gravées en 20 nm. GF indique que le process exploitera des éléments du 20 nm LPM qui devrait bientôt atteindre le stade de la production, ce qui facilitera la transition.
Des tests sont en train d'être mis en place au coeur de la Fab 8 de New York et le tout pourrait commencer à prendre forme courant 2013. La société indique avoir travaillé sur une version spécifique de ces transistors, spécialement dédiée à la mobilité afin de permettre de trouver un juste milieu entre le besoin de performance et celui de garder la consommation à un niveau assez bas.
Les divers partenariats avec ARM et des constructeurs qui exploitent ces architectures pourraient en effet permettre à Global Foundries de se trouver un nouveau souffle dans une période où la mobilité cristallise toutes les attentions. De quoi intéresser NVIDIA pour ses prochaines puces Tegra ?
Reste maintenant à voir ce que cela donnera lors du passage au stade pratique, et si cela permet aux clients de Global Foundries de rivaliser avec ce que propose Intel, par exemple. Exploitant les FinFET depuis un moment déjà, le géant du semi-conducteur s'apprête à mettre sur le marché sa seconde architecture en 22 nm durant le second trimestre de l'année prochaine et à passer au 14 nm l'année suivante.
Il sera d'ailleurs intéressant de voir si AMD tirera parti d'un tel process, ou si la société qui exploite actuellement le 28 nm de Global Foundries est mise de côté pour d'autres clients. La réaction de TSMC et d'UMC sera aussi à suivre. Pour rappel, le premier a indiqué préparer le passage au FinFET pour 2015 et le 16 nm alors que ce dernier a annoncé cet été travailler avec sur du 20 nm exploitant de tels transistors.
Commentaires (28)
#1
Y’a pas une limite de taille infranchissable de transistor ? Est elle contournée avec ce système 3D ?
edit : Lol :http://www.figer.com/publications/evolution.htm (1996)
#2
Global Foundries annonce qu’il exploitera des transistors 3D
Ah ! Parce que les transistors actuels ne sont pas déjà en 3 dimensions, aussi petit soient ils ?
edit :
peut être qu’il sera INtéressant d’observer la disparition de la tranche du transistor 2D actuel lors de son observation sous l’angle adéquat ?
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Je ne sais pas, mais
L’équipe a prouvé qu’une molécule de benzène reliée à des contacts en or pouvait se comporter comme un transistor au silicium.
Source
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Pour le coup j’ai cru que c’était une vidéo AMD, mais à la fin Intel s’est profilé " />
En tous les cas, ça explique bien le principe même si sur certaines étapes je ne comprends pas tout
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Sans parler des nanotubes a vides qui semblent très prometteurs…
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Hola! Les mecs! Vous oubliez décembre 2012! Je pense qu’on assiste à la toute dernière évolution " />
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bah si une déchirure du continuum espace temps :)
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mouais, les processeurs quantiques, c’est bon que pour résoudre un certain type de problèmes, et certainement pas une suite de commandes itératives (a = b +1; c = b + a; b *= 2) … faut pas trop compter dessus pour résoudre tous les problèmes de puissance informatique :(
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bah ce sera une révolution… faudra tout recoder :)
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Bah on attend toujours que le CERN nous engloutisse hein ^^”
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Et dire que ces processeurs sont toujours plats. Quand leur structure sera vraiment en 3D, ça va dépoter (le chauffage aussi)
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