Le fabricant vient d'annoncer que la production de masse avait débuté et que nous devrions la retrouver prochainement dans des smartphones et tablettes haut de gamme.

Elle est constituée de 8 puces de V-NAND (64 couches) et d'un contrôleur empilés ensemble, permettant ainsi de doubler la capacité par rapport à la précédente version de 256 Go (avec de la V-NAND sur 48 couches).

Les performances annoncées par Samsung sont de 860 Mo/s en lecture et de 255 Mo/s en écriture, avec respectivement 42 000 et 40 000 IOPS. Le fabricant indique enfin avoir intégré une nouvelle technologie de gestion de l'énergie.

Le volume de production des puces de 512 Go devrait augmenter régulièrement affirme le fabricant, tout comme celui des versions de 256 Go.

De telles capacités devraient donc se retrouver dans un nombre croissant de terminaux mobiles. Le CES de Las Vegas sera l'occasion de faire un premier tour des constructeurs.