Samsung donne le coup d’envoi du 7 nm LPP
Le 18 octobre 2018 à 09h50
1 min
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Comme prévu, le 7 nm Low Power Plus avec lithographie EUV (Extrême Ultraviolet) est prêt. Selon le fabricant, elle permet d'augmenter de 40 % l'efficacité et de 20 % les performances, ou de réduire de 50 % la consommation.
Toujours selon Samsung, sa commercialisation permettra des avancées dans la 5G, l'intelligence artificielle, les datacenters, etc. La suite est déjà connue : le 5nm Low Power Early (5LPE), puis le 4nm Low Power Early/Plus (4LPE/LPP) et enfin le 3nm Gate-All-Around Early/Plus (3GAAE/GAAP). Aucun calendrier n'est toutefois précisé.
Le 18 octobre 2018 à 09h50
Commentaires (4)
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Abonnez-vousLe 18/10/2018 à 11h32
Du coup est-ce vraiment du 7nm, ou bien comme certains fondeurs du 14nm+++ dont le nom commercial 7nm ne correspond à aucune réalité (NVIDIA fait ça sur ses derniers GPU) ? Je dis ça en voyant Intel ne pas arriver à maîtriser le 10nm :-)
Le 18/10/2018 à 13h09
grosso modo, il y as Intel qui as sa convention de nomage et était en avance face aux autres , donc les autres ont utilisé une autre convention pour “égaler intel” marketingement parlant
le 7n “ des autres” correspond au 10nm d’intel
sauf que vu qu’intel as foiré sont 10nm , ils l’ont dépassé marketingment ( égalé pour de vrai ), et la en sortant leur 7nm avant qu’intel ait résolu ses problèmes ils l’ont effectivement battu sur le coté technologique ( pour samsung et tsmc en tout cas, car GF as abandonné la course )
Le 18/10/2018 à 16h16
3nm c’est la limite physique pour le silicium non?
Le 18/10/2018 à 16h42
Le problème c’est pas de faire passer des électrons dans un “tuyau” de plus en plus petits. C’est de les contrôler conformément sur les “portes”. A partir d’une certaine petitesse c’est un peu comme envoyer des boulets de canon à travers ta porte de toilette (qui est en carton, si si). Un électron ça n’a pas de freins…