En mars dernier, le JEDEC – chargé de développer les normes pour la mémoire – présentait la GDDR7. La bande passante était comme toujours (ou presque) doublée par rapport à la GDDR6, notamment avec le passage au PAM-3

• La GDDR7 est officielle : PAM-3, on-die ECC et bande passante jusqu’à 192 Go/s

En juin, Micron annonçait la disponibilité des premiers échantillons, avec des puces de 16 Gb (2 Go) et un débit de 32 Gb/s par broche. Le fabricant prévoit de passer à une capacité de 24 Gb par puce, puis à une bande passante de 36 Gb/s.

De la GDDR7 à 32 et 40 Gb/s chez SK hynix

C’est maintenant au tour de SK hynix de lui emboiter le pas avec de la GDDR7 à 32 Gb/s. Le débit des puces « peut atteindre 40 Gb/s selon les circonstances », indique le constructeur sans plus de détails sur les conditions. Comme Micron, SK hynix annonce que « la bande passante totale est ainsi de plus de 1,5 To/s ».

L’efficacité énergétique est aussi augmentée « de plus de 50 % par rapport à la génération précédente ». Cela passe notamment par un nouveau packaging, avec une « augmentation du nombre de couches des substrats dissipant la chaleur, de quatre à six ».

La production de masse de la GDDR7 SK hynix est attendue pour le 3ᵉ trimestre.

3D NAND sur 276 couches chez Micron

Toujours du côté de la mémoire, mais sur la 3D NAND cette fois-ci. Micron annonce la production de masse de sa neuvième génération (G9) avec « le débit le plus élevé du secteur, soit 3,6 Go/s ». De plus, cette nouvelle mémoire « est jusqu'à 73 % plus dense que les technologies concurrentes sur le marché actuel ».

Le « 3D » de ces puces mémoire signifie simplement que plusieurs couches sont empilées les unes sur les autres, un procédé utilisé depuis des années. Pour ces G9, Micron arrive à 276 couches, dans un rectangle de 11,5 x 13,5 mm

Des versions TLC (trois bits par cellule) sont utilisées dans le SSD 2650 de Micron, dont les débits grimpent jusqu’à 7 Go/s en lecture et 6 Go/s en écriture.