Le constructeur explique qu'il est le premier à lancer la production de masse de puces de 8 Gb (1 Go) de deuxième génération exploitant une finesse de gravure de « classe » 10 nm.

Le fabricant reste en effet flou et annonce simplement « 1y nm », sans plus de précision. Samsung avance « un gain de productivité d'environ 30 % » par rapport à la première génération. « De plus, les niveaux de performance et d'efficacité énergétique des nouvelles puces DDR4 de 8 Gb ont été améliorés respectivement d'environ 10 et 15 % ».

Le fabricant en profite pour indiquer qu'il accélère ses projets sur les prochaines générations de DRAM, notamment DDR5, HBM3, LPDDR5 et GDDR6. Aucun calendrier n'est par contre présenté.