HBM2(E) 3e génération : le JEDEC sort du bois, Samsung lance sa Flashbolt jusqu’à 538 Go/s

Plusieurs mois après les annonces des fabricants, le JEDEC se décide enfin à dévoiler officiellement les caractéristiques techniques de la mémoire HBM2 de troisième génération (HBM2E). De son côté, Samsung lance sur le marché sa Flashbolt, avec des puces de 16 Go capables d’atteindre 538 Go/s.

Après avoir mis en ligne la version 3.1 de la norme Universal Flash Storage (UFS), le JEDEC met à jour les caractéristiques techniques de la mémoire HBM2 (High Bandwidth Memory 2). De – coûteuses – puces qui sont pour rappel utilisées par les constructeurs dans leurs solutions haut de gamme (notamment des cartes graphiques).

Le débit par broche passe ainsi de 2,4 à 3,2 Gb/s, pour un total de 420 Go/s par puce au lieu de 307 Go/s maximum sur la génération précédente. Ces chiffres vous rappellent quelque chose ? C’est normal, il s’agit de ceux avancés par Samsung lors de l’annonce de ses puces HBM2 de troisième génération – alias Flashbolt – en mars 2019.

Le fabricant parlait alors de « HBM2E », sans préciser ce que signifiait le « E ». SK Hynix avait suivi le mouvement quelques mois plus tard.

1… 2… 3 trois génération de HBM2

Le JEDEC ne s’embarrasse pas de telles considérations : dans les documents officiels, cette troisième génération de mémoire HBM2 est simplement identifiée JESD235C.

Cette norme fait suite aux JESD235B de deuxième génération et JESD235A de première génération. Voici un rapide résumé des principales caractéristiques techniques des évolutions de la HBM2 :

• 1re génération (JESD235A) : 2 Gb/s par broche, 256 Go/s par puce, 1 Go par die, capacité maximale de 8 Go
• 2e génération (JESD235B) : 2,4 Gb/s par broche, 307 Go/s par puce, 2 Go par die, capacité maximale de 24 Go
• 3e génération (JESD235C) : 3,2 Gb/s par broche, 410 Go/s par puce, 2 Go par die, capacité maximale de 24 Go

Samsung lance sa Flashbolt capable d’atteindre 538 Go/s

Samsung en profite pour annoncer la disponibilité de Flashbolt. Elle complète la gamme des « bolt », après les Flarebolt (HBM2 1ère génération) et Aquabolt (HBM2 de 2e génération).

Si la norme JESD235C permet de monter jusqu’à 12 couches, pour une capacité maximale de 24 Go, ces puces sont gravées en « 1y nm » et affichent une capacité de 16 Go via l’empilement de 8 dies de 2 Go chacun. Les performances sont en phase avec les annonces du JEDEC : 3,2 Gb/s par broche et 410 Go/s pour la puce.

Mais Samsung évoque aussi un mode « overclocké » avec respectivement 4,2 Gb/s et 538 Go/s. Il ne donne par contre aucun détail supplémentaire, notamment sur la tension nécessaire pour atteindre de tels débits. Il s’agit certainement de faire mieux que SK Hynix qui avait annoncé de la HBME2E à 460 Go/s en août dernier. 

La production de masse de Flashblot devrait débuter durant la première moitié de l’année. La production et la vente de puces HBM2 de seconde génération – Aquabolt – continuent en parallèle.