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Samsung produit en masse une puce eUFS de 1 To capable d’atteindre 1 Go/s

Pour des smartphones toujours plus chers

Samsung produit en masse une puce eUFS de 1 To capable d'atteindre 1 Go/s

Le 30 janvier 2019 à 14h00

Samsung double la capacité de ses puces eUFS 2.1 et grimpe jusqu'à 1 To. Elle occupe 11,5 x 13 mm et propose des débits jusqu'à 1 Go/s en lecture et 260 Mo/s en écriture. Le fabricant s'attend à « une forte demande » de la part de ses partenaires, mais ne précise pas s'il compte l'utiliser dans son prochain Galaxy S10.

Les puces (embedded) Universal Flash Storage sont utilisées dans les smartphones, les tablettes, les box multimédia et bon nombre d'appareils intégrant du stockage.

Il s'agit pour rappel une norme définie par le JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council). La version 3.0 a été publiée au début de l'année dernière et permettra notamment de doubler les débits par rapport à l'UFS 2.1, avec un maximum annoncé à 2,9 Go/s.

Samsung propose déjà des puces UFS 3.0 de 128 Go et prévoit de passer à 256 et 512 Go en mars de cette année. Si celle dont il est question aujourd'hui se limite à la version embarquée de l'UFS 2.1, elle se distingue par sa capacité de 1 To. « Une première » selon le fabricant coréen.

16 couches de 64 Go empilées

Elle exploite de la V-NAND (NAND 3D dans le langage de Samsung) de 5e génération sur « plus de 90 couches  », dont la production de masse a débuté en juillet dernier.

Dans le détail, un die eUFS de 1 To mesure 11,5 x 13 mm, est composé de 16 éléments de 64 Go de V-NAND empilés les uns sur les autres : 64 x 16 = 1 024 Go, soit 1 To ; le compte est bon. Un nouveau contrôleur maison est aussi de la partie, sans plus de détails. 

Le fabricant annonce un débit maximum de 1 Go/s en lecture et de 260 Mo/s en écriture, pour respectivement 58 000 et 50 000 IOPS. À titre de comparaison, la puce eUFS 2.1 de 512 Go annoncés fin 2017 grimpait jusqu'à respectivement 860 et 255 Mo/s. La montée en capacité ne semble donc pas se faire au détriment du débit.

Le fabricant a publié un récapitulatif de l'évolution de ses puces eUFS ces dernières années :

Samsung eUFS 2.1 1 To

1 To pour le Galaxy S10 ? Pas si vite... 

Le fabricant affirme qu'il ne s'agit pas seulement d'un effet d'annonce et que la production de masse a d'ores et déjà commencé. Dans le courant du premier trimestre, il prévoit de l'étendre à son usine coréenne de Pyeongtaek afin de « répondre pleinement à la forte demande prévue ».

Cette annonce laisse donc entrevoir la possibilité d'avoir un Galaxy S10 de 1 To... mais rien n'est fait pour autant. Pour rappel, lors de l'annonce d'une puce eUFS de 512 Go fin 2017, certains y voyaient l'arrivée d'un Galaxy S9 avec une telle capacité de stockage. Trois mois plus tard – fin février 2018, juste avant l'ouverture du MWC – ce ne fut pas le cas.

Les Galaxy S9(+) ne sont en effet disponible qu'avec 64, 128 ou 256 Go de mémoire interne. Le Galaxy Note9, annnoncé l'été dernier, est par contre disponible avec jusqu'à 512 Go de stockage. Il faudra donc attendre le 20 février et l'événement Unpacked qui se tiendra une semaine avant le MWC 2019 de Barcelone pour savoir ce qu'il en est exactement pour le Galaxy S10.

Commentaires (6)

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Confusion dans les unités Gio, Go, Tio, To
1000 Go = 1 To

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Et toujours plus de taxe Copie Privée dessus :(

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empty a dit:


Confusion dans les unités Gio, Go, Tio, To 1000 Go = 1 To


Si je ne me trompe pas, c’est plutôt 2¹⁰ soit «environ» 1024 Go= 1To
Même en octet, on reste sur du binaire.

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J’aime les hyènes 🤣
Ceux qui on vu le film Berni me comprendront



OK je sors :byebye:

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En théorie (https://fr.wikipedia.org/wiki/Pr%C3%A9fixe_binaire) :



1 To = 1 000 Go = 1 000 000 000 000 d’octets



1 Tio = 1 024 Gio = 1 099 511 627 776 octets



Sauf que… beaucoup - et notamment Windows - parlent de To (Go, Mo, ko, etc) alors qu’ils devraient utiliser les Tio (Gio, Mio, Kio, etc).



Du coup, quand un fabriquant de disque dur vous vend un disque de 1 To, il fait réellement 1 000 000 000 000 d’octets, et Windows indique 931 “Go”. Le fabriquant a raison, Windows a tort (il fait 931 Gio, pas Go).

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Et la stabilité ?
Si c’est pour avoir des contrôleurs avec gestion d’erreurs tellement c’est la pagaille ce n’est pas la peine.
Sans parler de l’endurance aussi.
Edit: destiné aux stockages intégrés, ça ira =x

Samsung produit en masse une puce eUFS de 1 To capable d’atteindre 1 Go/s

  • 16 couches de 64 Go empilées

  • 1 To pour le Galaxy S10 ? Pas si vite... 

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